脉冲激光沉积相关论文
随着半导体行业的发展,紫外光电探测器（UV PDs）在医疗、军工以及民用等领域有着广泛的应用,引起了科研工作者们的重点关注。Sn O2作......
钙钛矿过渡金属氧化物材料因具有高缺陷迁移速度、低缺陷迁移势垒的特点,在高性能存储器件领域极具研究空间。钙钛矿结构的Sr Co O......
近年来,透明导电薄膜被广泛应用于光电信息领域,例如在太阳能电池、平板显示器、有机发光二极管等器件上的应用,市场对高性能透明......
光纤传感技术将光波作为载体,光纤作为媒质,是一种感知和传输外界被测信号的新型传感技术。由于光纤传感器集信息传感与传输于一体......
我国航天发动机的效率以及推力一直在不断提高。为了保证发动机的正常运行,能够稳定又准确的监测涡轮叶片在工作时产生的应变是非......
随着自旋电子学领域的发展,人们发现具有垂直磁各向异性（perpendicular magnetic anisotropy,PMA）的绝缘磁性石榴石薄膜有着非常多的......
锆钛酸铅及铌镁酸铅-钛酸铅等铅系铁电材料,因其具有优异的铁电、压电、热释电性能被广泛应用到微机电系统、传感器、驱动器等功能......
在过去的几十年中,基于互补金属氧化物半导体（CMOS）晶体管的数字计算机的计算能力得到了极大的提高。但随着摩尔定律即将走到尽头,基......
过渡金属氧化物的理论比容量是商用石墨负极的2～3倍,并具有良好的安全性,因此被认为是极具应用潜力的负极材料之一。在过渡金属氧化......
多铁性材料可以同时实现力-电荷-自旋的多重耦合因而允许通过外场来控制其铁电性和铁磁性,相比于传统的铁电存储和磁记录材料,多铁......
二维过渡金属硫属化合物（2D TMDCs）是当前光电材料的研究热点之一,其优异的光电转化特性使其在新型探测器的研究取得长足的进步。当......
金属-绝缘体相变现象一直是凝聚态物理中倍受关注的热点和研究重点。在众多金属-绝缘体相变材料中,钙钛矿型稀土过渡金属氧化物RNi......
过渡金属氧化物（Transition Metal Oxide,TMO）由于具有丰富的相结构和新颖的物理特性受到研究人员的广泛关注。然而生长在单晶衬底上......
钙钛矿化合物是一种非常重要的功能材料,因结构性质丰富而被广泛研究,近年来凭借铁电光伏效应和多铁特性,在光伏发电和信息存储等......
磁电复合薄膜因同时具备铁电及铁磁性,可以通过磁场作用调控电学性质以及电场对磁性能的调控。近些年来,铁电、铁磁及其磁电复合薄......
钙钛矿材料由于具有高的吸收系数和载流子迁移率、较长的载流子扩散距离、较低的缺陷态密度、可调的发光波长等特点,成为近年来半......
本文使用脉冲激光沉积的方法首次成功地制备了锰掺杂锌砷基II-II-V族稀磁半导体（Ba,K）（Zn,Mn）2As2薄膜。薄膜的制备方法与物理性质的研......
Ga2O3薄膜晶体由于高温生长引进了大量缺陷导致其紫外探测器件的响应度不高,而一维纳米材料具有的比表面积大、散射作用强以及纳米......
以电化学储能的锂离子二次电池因其具有高能量密度、小质量、长循环寿命、低自放电率及无记忆效应等优点,被广泛应用于便携式电子......
本文采用脉冲激光沉积和真空退火的方法在铝箔上制备氧化铟锡（indium tin oxide， ITO）表面增强拉曼散射（surface-enhanced Raman scatt......
透明导电氧化物薄膜(TCO)在现代社会多个领域有着重要的应用,如太阳能电池、薄膜晶体管、平板显示器等。常见的TCO材料如锡掺杂氧......
采用飞秒激光制备了无氢氧掺杂类金刚石膜,研究了环境气压对膜层红外性能的影响,并从掺杂含量、原子键、晶态结构等微观特性方面分......
常用的硫化锌衬底增透膜系存在硬度低，保护效果差等问题，难以满足在恶劣环境使用的要求。在真空中用准分子激光制备了高红外透射率、......
纳米连接涉及纳-纳、纳-微-宏跨尺度的材料连接,其在微纳电子元器件及其系统、微纳光机电系统等互连封装制造和研发中起到越来越重......
以聚酰亚胺薄膜为靶子,用高电导硅作为衬底,KrF准分子激光器作为辐射光源,利用脉冲激光沉积技术制备出了类石墨薄膜,并以该薄膜为......
采用脉冲激光沉积法, 室温条件下在透明导电玻璃衬底上制备了Bi3.95Er0.05Ti3O12(BErT)薄膜。研究结果表明, 低沉积氧气压下制备的......
利用脉冲激光沉积技术制备出非晶碳-聚酰亚胺复合薄膜,并观察到其场发射阈值场强(4V/μm)比类金刚石薄膜(......
采用固相法烧结制备了Ag掺杂的La2/3Ca1/3MnO3(LCMO∶Agx，x为摩尔分数，x=0.00，0.05，0.10)多晶靶材，并利用此靶材采用脉冲激光沉积法(PLD......
在气压为1.33×10-4 Pa 和衬底温度为室温条件下，利用飞秒激光剥落石墨的方法在无催化层的硅(Si)衬底上加工碳纳米薄膜；探究了激光能......
钌酸盐是典型的ABO3型过渡金属氧化物, 具有金属导电性, 其薄膜可作为电极材料用于集成铁电等器件中。分析了BaRuO3的钙钛矿晶体结......
采用脉冲激光沉积法（PLD）在Al2O3衬底上成功制备了Zn0.99Fe0.01O薄膜，研究了退火氧压对Zn0.99Fe0.01O薄膜的晶体结构及其激光感生电压......
在不同激光重复频率下用脉冲激光沉积方法(PLD)在Si (111)衬底上生长了ZnO薄膜, 以325 nm He-Cd激光器为激发源获得了薄膜的荧光光......
采用时空分辨的光学发射谱技术研究了脉冲XeCl准分子激光消融碳靶等离子体的光辐射特性,结果表明等离子体形成初期发光主要为连续......
为了研究不同退火氧压对铝掺杂氧化锌薄膜结晶质量和激光感生电压效应的影响，采用脉冲激光沉积法在蓝宝石(0001)单晶平衬底上制备了......
对于InGaZnO材料作为沟道半导体的薄膜晶体管柔性显示器件的研究倍受关注。将Ga2O3,In2O3,ZnO高纯度粉末按一定比例混合,经过研磨......
铌酸锂(LiNbO3)晶体因具有优良的电光、热电、压电、光折变和非线性光学效应等一系列特殊性质，成为目前用途最广泛的新型无机材料之......
软磁性薄膜材料在电子信息技术高速发展的今天有着重要的地位。然而采用先进的脉冲激光沉积技术制备的非晶合金薄膜具有比相同成分......
用Ｑ开关ＹＡＧ激光器的１．０６μｍ的脉冲激光在硅及玻璃衬底上沉积了氮化硼薄膜。做了ＳＥＭ，ＸＲＤ，红外透射谱和紫外一可见透射谱等测试。确认为六方氮化硼（ｈ－ＢＮ）薄膜......
本实验采用脉冲准分子激光沉积（ＰＬＤ）法，在１９３ｎｍ波长，５Ｈｚ频率，４Ｊ／ｃｍ２能量密度条件下，分别在Ｓｉ（１００）和ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上成功地沉积Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ）薄膜，并在不同的条件下对ＰＺＴ薄膜进行退火处理。用......
非晶态有机聚合物薄膜具有低介电常数，高强度等优良物理特性，在微电子工业领域有着潜在的应用价值而引起人们极大兴趣，本文就其沉积方......
1 引言用于频域激光数据存储的光谱烧孔技术在小型存储器件领域具有很好的潜在应用前景。由于掺稀土的碱土金属硫化物是一种潜在......
采用脉冲激光沉积方法在p-Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,分别在500℃、600℃和700℃下真空退火,采用X射线衍射仪研究了退火对ZnO薄膜......
不同方法制备的ZnO薄膜紫外光激射原理主要有两种：微谐振腔发光和随机发光测试。测量了脉冲激光沉积和热氧化法制备的ZnO薄膜在同等......
针对脉冲激光沉积(PLD)薄膜装置,建立了时间分辨等离子体发射光谱测量系统,在沉积类金刚石(DLC)薄膜时,通过对CII(426.7 nm)和CIII......
采用紫外脉冲激光沉积技术和高低温沉积工艺,在LaAlO3(100)平衬底及倾斜衬底上成功制备了c轴取向的(Bi,Pb)2Sr2CaCu2O8[(Bi,Pb)-22......
